NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.61€
5-24
2.27€
25-49
2.03€
50+
1.80€
Hoeveelheid in voorraad: 311

NPN-transistor BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: kHz. Functie: Hoogspanning, hoge snelheid schakelen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 25A. Let op: Isolatiespanning 2500V. Maximale hFE-versterking: 13. Minimale hFE-versterking: 5. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Technologie: vermogenstransistor. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 13.5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 12:31

Technische documentatie (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parameters
Collectorstroom
10A
Behuizing
SOT-199
Behuizing (volgens datablad)
SOT-199
Collector-emitterspanning Vceo
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
FT
kHz
Functie
Hoogspanning, hoge snelheid schakelen
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
25A
Let op
Isolatiespanning 2500V
Maximale hFE-versterking
13
Minimale hFE-versterking
5
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Technologie
vermogenstransistor
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.5us
Tf(min)
0.35us
Type transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
13.5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
5V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors