NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.02€
5-49
0.81€
50-99
0.73€
100+
0.65€
+697 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 39

NPN-transistor BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Behuizing: TO-50. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Collectorstroom: 0.025A. Behuizing (volgens datablad): TO-50-3. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3.2GHz. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V. Componentfamilie: hoogfrequente NPN -transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Darlington-transistor?: nee. FT: 3.2GHz. Functie: Breedband RF-versterker tot GHz-bereik.. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering van de fabrikant: BFW92A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Maximale hFE-versterking: 150. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 20. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: nee. Spec info: Planaire RF-transistor. Temperatuur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BFW92A
30 parameters
Behuizing
TO-50
Collectorstroom Ic [A], max.
25mA
Collectorstroom
0.025A
Behuizing (volgens datablad)
TO-50-3
Collector-emitterspanning Vceo
25V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
3.2GHz
Collector-emitterspanning Uceo [V]
15V
Componentfamilie
hoogfrequente NPN -transistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Darlington-transistor?
nee
FT
3.2GHz
Functie
Breedband RF-versterker tot GHz-bereik.
Halfgeleidermateriaal
silicium
Markering van de fabrikant
BFW92A
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.3W
Maximale hFE-versterking
150
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
20
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300mW
RoHS
nee
Spec info
Planaire RF-transistor
Temperatuur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
25V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Origineel product van fabrikant
Vishay