NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0784€
50-99
0.0699€
100+
0.0616€
+2164 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 194
Minimum: 10

NPN-transistor BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. FT: 450 MHz. Functie: IF en VHF dikke- en dunnefilmcircuit. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 25mA. Let op: zeefdruk/SMD-code G1p, G1t, G1W. Markering op de kast: G1*. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BFS20
23 parameters
Collectorstroom
25mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
20V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
FT
450 MHz
Functie
IF en VHF dikke- en dunnefilmcircuit
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
25mA
Let op
zeefdruk/SMD-code G1p, G1t, G1W
Markering op de kast
G1*
Maximale hFE-versterking
140
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
200mW
RoHS
ja
Type transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Origineel product van fabrikant
Diodes Inc
Minimale hoeveelheid
10