NPN-transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

NPN-transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.41€
5-49
0.33€
50-99
0.29€
100-199
0.26€
200+
0.22€
Hoeveelheid in voorraad: 65

NPN-transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Collectorstroom: 80mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Collector-emitterspanning Vceo: 12V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 0.9pF. CE-diode: nee. FT: 8GHz. Functie: UHF wideband transistor. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 0.28pF. Markering op de kast: RC s. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code RC s. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BFP193E6327
25 parameters
Collectorstroom
80mA
Behuizing
SOT-143
Behuizing (volgens datablad)
SOT-143
Collector-emitterspanning Vceo
12V
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
0.9pF
CE-diode
nee
FT
8GHz
Functie
UHF wideband transistor
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
0.28pF
Markering op de kast
RC s
Maximale hFE-versterking
140
Minimale hFE-versterking
70
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
580mW (total 380mW)
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code RC s
Type transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
2V
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies