NPN-transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

NPN-transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.08€
5-24
2.85€
25-49
2.69€
50-99
2.58€
100+
2.39€
Hoeveelheid in voorraad: 103

NPN-transistor BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Collectorstroom: 200mA. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. CE-diode: nee. FT: 7GHz. Functie: Voor VHF/UHF-antenneversterker en RF-communicatietoepassingen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 0.7pF. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Temperatuur: +150°C. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/01/2026, 00:44

Technische documentatie (PDF)
BFG591
23 parameters
Collectorstroom
200mA
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Collector-emitterspanning Vceo
15V
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-60...+150°C
CE-diode
nee
FT
7GHz
Functie
Voor VHF/UHF-antenneversterker en RF-communicatietoepassingen
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
0.7pF
Maximale hFE-versterking
250
Minimale hFE-versterking
60
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2W
RoHS
ja
Temperatuur
+150°C
Type transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
3V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors