NPN-transistor BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

NPN-transistor BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0611€
50-99
0.0505€
100+
0.0437€
Hoeveelheid in voorraad: 20777
Minimum: 10

NPN-transistor BF421, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA, 50mA, TO-92, 300V. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Collectorstroom: 50mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. CE-diode: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 80 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 100mA. Markering van de fabrikant: BF421. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 830mW. RoHS: nee. Spec info: complementaire transistor (paar) BF420. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BF421
33 parameters
Behuizing
TO-92
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-226AA
Collector-emitterspanning Uceo [V]
300V
Collectorstroom Ic [A], max.
500mA
Collectorstroom
50mA
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
300V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
60 MHz
CE-diode
ja
Componentfamilie
hoogspanning PNP-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
80 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
100mA
Markering van de fabrikant
BF421
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.625W
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
830mW
RoHS
nee
Spec info
complementaire transistor (paar) BF420
Technologie
Triple Diffused Planar Transistor
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
300V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba
Minimale hoeveelheid
10