NPN-transistor BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

NPN-transistor BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.94€
5-14
3.58€
15-29
3.28€
30-59
3.02€
60+
2.68€
+31 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 55

NPN-transistor BDV64BG, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 20A. Markering van de fabrikant: BDV64BG. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Maximale temperatuur: +150°C.. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Minimale hFE-versterking: 1000. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV65B. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 06:14

Technische documentatie (PDF)
BDV64BG
30 parameters
Behuizing
TO-247
Collector-emitterspanning Uceo [V]
100V
Collectorstroom Ic [A], max.
10A
Collectorstroom
10A
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Collector-emitterspanning Vceo
100V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
Componentfamilie
Darlington PNP-vermogenstransistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Darlington-transistor?
ja
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
20A
Markering van de fabrikant
BDV64BG
Maximale dissipatie Ptot [W]
125W
Maximale temperatuur
+150°C.
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
2V
Minimale hFE-versterking
1000
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
125W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) BDV65B
Type transistor
PNP
Vcbo
100V
Vebo
5V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor