NPN-transistor BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 2. BE-diode: ja. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 20A. Let op: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BDT65C. Technologie: Darlington-transistor. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 2.5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:12