NPN-transistor BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

NPN-transistor BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-49
1.17€
50+
0.97€
+920 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 785

NPN-transistor BDP950, SOT-223, TO-264, -60V, 60V, 3A. Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning VCEO: -60V. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Aantal aansluitingen: 3. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Bandbreedte MHz: 100MHz. Collector-base spanning VCBO: -60V. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). DC Collector/Base Gain HFE Min.: 25. Informatie: -. Markering van de fabrikant: BDP950. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montagetype: SMD. Polariteit: PNP. RoHS: ja. Serie: BDP. Stroom Max 1: -3A. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Vermogen: 3W. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 20:24

Technische documentatie (PDF)
BDP950
23 parameters
Behuizing
SOT-223
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-264
Collector-emitterspanning VCEO
-60V
Collector-emitterspanning Uceo [V]
60V
Collectorstroom Ic [A], max.
3A
Aantal aansluitingen
3
Afsnijfrequentie ft [MHz]
100 MHz
Bandbreedte MHz
100MHz
Collector-base spanning VCBO
-60V
Componentfamilie
PNP-vermogenstransistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
DC Collector/Base Gain HFE Min.
25
Markering van de fabrikant
BDP950
Maximale dissipatie Ptot [W]
5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montagetype
SMD
Polariteit
PNP
RoHS
ja
Serie
BDP
Stroom Max 1
-3A
Uitvoering
transistor voor toepassingen met laag vermogen
Vermogen
3W
Origineel product van fabrikant
Infineon