NPN-transistor BD830, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-202. Behuizing (volgens datablad): TO-202; SOT128B. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 75 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD829. Type transistor: PNP. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:12