NPN-transistor BD682, TO-126, SOT-32, -100V, 4A, 100V, 4A, 100V. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. BE-diode: nee. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Collector-base spanning VCBO: -100V. Collectorstroom Ic [A]: 4A. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Conditionering: tubus. Configuratie: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 750. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Informatie: -. Ingebouwde diode: ja. MSL: -. Markering van de fabrikant: BD682. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Maximale hFE-versterking: -. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 750. Montage/installatie: THT. Montagetype: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Serie: BD682. Spanning (verzamelaar - emitter): 100V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD681. Stroom Max 1: -4A. Type transistor: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 40W. Winst hfe: 750. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:12