NPN-transistor BD680, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

NPN-transistor BD680, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.45€
5-24
0.37€
25-49
0.32€
50-99
0.28€
100+
0.24€
+232 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 125

NPN-transistor BD680, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. BE-diode: nee. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Darlington-transistor?: ja. FT: 10 MHz. Functie: hFE 750. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering van de fabrikant: BD680. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD679. Type transistor: PNP. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:12

Technische documentatie (PDF)
BD680
28 parameters
Behuizing
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Behuizing (JEDEC-standaard)
SOT-32
Collector-emitterspanning Uceo [V]
80V
Collectorstroom Ic [A], max.
4A
Collectorstroom
4A
Behuizing (volgens datablad)
TO-126
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
BE-weerstand
R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms
CE-diode
ja
Componentfamilie
Darlington PNP-vermogenstransistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Darlington-transistor?
ja
FT
10 MHz
Functie
hFE 750
Halfgeleidermateriaal
silicium
Markering van de fabrikant
BD680
Maximale dissipatie Ptot [W]
40W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) BD679
Type transistor
PNP
Origineel product van fabrikant
Stmicroelectronics

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BD680