NPN-transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0915€
50-99
0.0796€
100-199
0.0720€
200+
0.0617€
Hoeveelheid in voorraad: 236
Minimum: 10

NPN-transistor BCR562E6327HTSA1, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. BE-weerstand: 4.7k Ohms. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. FT: 150 MHz. Functie: PNP silicium digitale transistor. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: XUs. Minimale hFE-versterking: 50. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Weerstand B: 4.7k Ohms. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34

Technische documentatie (PDF)
BCR562E6327HTSA1
24 parameters
Collectorstroom
500mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
BE-weerstand
4.7k Ohms
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
FT
150 MHz
Functie
PNP silicium digitale transistor
Halfgeleidermateriaal
silicium
Markering op de kast
XUs
Minimale hFE-versterking
50
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.33W
RoHS
ja
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.3V
Weerstand B
4.7k Ohms
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies
Minimale hoeveelheid
10