NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0656€
50-99
0.0572€
100-199
0.0511€
200+
0.0434€
+2817 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 2092
Minimum: 10

NPN-transistor BCR533, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. BE-weerstand: 10k Ohms. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. FT: 100 MHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: XCs. Minimale hFE-versterking: 70. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/CMS-code XC s. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 1V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Weerstand B: 10k Ohms. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34

Technische documentatie (PDF)
BCR533
26 parameters
Collectorstroom
500mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
BE-weerstand
10k Ohms
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
FT
100 MHz
Functie
Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand
Halfgeleidermateriaal
silicium
Markering op de kast
XCs
Minimale hFE-versterking
70
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.33W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/CMS-code XC s
Type transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
1V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.3V
Weerstand B
10k Ohms
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies
Minimale hoeveelheid
10