NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-99
0.27€
100+
0.19€
+800 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 1468

NPN-transistor BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Behuizing: SOT-223. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Bandbreedte MHz: 130MHz. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-base spanning VCBO: 100V. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). DC Collector/Base Gain HFE Min.: 25. Informatie: -. Markering van de fabrikant: BH. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montagetype: SMD. Polariteit: NPN. RoHS: ja. Serie: BCP. Stroom Max 1: 1A. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Vermogen: 1.5W. Origineel product van fabrikant: Onsemi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14

Technische documentatie (PDF)
BCP56T1G
23 parameters
Behuizing
SOT-223
Collector-emitterspanning VCEO
80V
Collectorstroom Ic [A], max.
1A
Aantal aansluitingen
3
Afsnijfrequentie ft [MHz]
130 MHz
Bandbreedte MHz
130MHz
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-261
Collector-base spanning VCBO
100V
Collector-emitterspanning Uceo [V]
80V
Componentfamilie
NPN-vermogenstransistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
DC Collector/Base Gain HFE Min.
25
Markering van de fabrikant
BH
Maximale dissipatie Ptot [W]
1.5W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montagetype
SMD
Polariteit
NPN
RoHS
ja
Serie
BCP
Stroom Max 1
1A
Uitvoering
transistor voor toepassingen met laag vermogen
Vermogen
1.5W
Origineel product van fabrikant
Onsemi