NPN-transistor BC859B, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3F. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34