NPN-transistor BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V

NPN-transistor BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0363€
50-99
0.0314€
100-299
0.0282€
300+
0.0243€
+59896 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 806
Minimum: 10

NPN-transistor BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. BE-diode: nee. Bandbreedte MHz: 100MHz. CE-diode: nee. Collector-base spanning VCBO: -50V. Collectorstroom Ic [A]: 100mA. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). DC Collector/Base Gain HFE Min.: 220. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Informatie: -. Markering op de kast: 3F. Markering van de fabrikant: 3F. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Montagetype: SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Serie: BC. Spanning (verzamelaar - emitter): 50V, 45V. Spec info: SMD KO0 3F. Type transistor: PNP. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Vermogen: 0.25W. Winst hfe: 290. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34

Technische documentatie (PDF)
BC857B
44 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-236
Collector-emitterspanning VCEO
-45V
Collector-emitterspanning Uceo [V]
45V
Collectorstroom Ic [A], max.
100mA
Collectorstroom
100mA
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
100 MHz
BE-diode
nee
Bandbreedte MHz
100MHz
CE-diode
nee
Collector-base spanning VCBO
-50V
Collectorstroom Ic [A]
100mA
Componentfamilie
PNP-transistor
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
DC Collector/Base Gain HFE Min.
220
FT
150 MHz
Functie
algemeen gebruik
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Markering op de kast
3F
Markering van de fabrikant
3F
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.25W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Montagetype
SMD
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.33W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Serie
BC
Spanning (verzamelaar - emitter)
50V, 45V
Spec info
SMD KO0 3F
Type transistor
PNP
Uitvoering
transistor voor toepassingen met laag vermogen
Vcbo
50V
Vebo
5V
Vermogen
0.25W
Winst hfe
290
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies
Minimale hoeveelheid
10