NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0413€
50-99
0.0368€
100+
0.0324€
Hoeveelheid in voorraad: 45
Minimum: 10

NPN-transistor BC857A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: °C. Darlington-transistor?: nee. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3E. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 3E. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34

Technische documentatie (PDF)
BC857A
25 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
45V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
°C
Darlington-transistor?
nee
FT
100 MHz
Functie
algemeen gebruik
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Markering op de kast
3E
Maximale hFE-versterking
250
Minimale hFE-versterking
125
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
SMD 3E
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.075V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10