NPN-transistor BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V

NPN-transistor BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-24
0.0480€
25-99
0.0331€
100-499
0.0292€
500-999
0.0253€
1000+
0.0195€
+190293 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 1686
Minimum: 10

NPN-transistor BC856B, SOT-23 ( TO-236 ), 65V, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 65V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Collector-emitterspanning VCEO: 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bandbreedte MHz: 100MHz. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. CE-diode: nee. Collector-base spanning VCBO: 80V. Collectorstroom Ic [A]: 100mA. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 220. Equivalenten: ON Semiconductor BC856BLT1G. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Informatie: -. Kosten): 4.5pF. Markering op de kast: 3B. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Montagetype: SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Serie: BC. Spanning (verzamelaar - emitter): 80V, 65V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3B. Type transistor: PNP. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Vermogen: 0.25W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.065V. Winst hfe: 290. Origineel product van fabrikant: Nexperia. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
BC856B
39 parameters
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Collector-emitterspanning VCEO
65V
Collectorstroom
100mA
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
65V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bandbreedte MHz
100MHz
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
CE-diode
nee
Collector-base spanning VCBO
80V
Collectorstroom Ic [A]
100mA
DC Collector/Base Gain HFE Min.
220
Equivalenten
ON Semiconductor BC856BLT1G
FT
100 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Kosten)
4.5pF
Markering op de kast
3B
Maximale hFE-versterking
475
Minimale hFE-versterking
220
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Montagetype
SMD
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300mW
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Serie
BC
Spanning (verzamelaar - emitter)
80V, 65V
Spec info
zeefdruk/SMD-code 3B
Type transistor
PNP
Uitvoering
transistor voor toepassingen met laag vermogen
Vcbo
80V
Vebo
5V
Vermogen
0.25W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.065V
Winst hfe
290
Origineel product van fabrikant
Nexperia
Minimale hoeveelheid
10