NPN-transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

NPN-transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-24
0.0473€
25-99
0.0326€
100-499
0.0272€
500+
0.0228€
Hoeveelheid in voorraad: 378
Minimum: 10

NPN-transistor BC856A, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3A. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3A. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
BC856A
23 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Collector-emitterspanning Vceo
65V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
FT
100 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Markering op de kast
3A
Maximale hFE-versterking
250
Minimale hFE-versterking
125
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.25W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code 3A
Type transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.075V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors
Minimale hoeveelheid
10