NPN-transistor BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V

NPN-transistor BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.21€
5-49
0.18€
50-99
0.15€
100-199
0.13€
200+
0.11€
+11420 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 262

NPN-transistor BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Collectorstroom: 1A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. BE-diode: nee. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. C(inch): 50pF. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A]: 1A. Componentfamilie: NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 130 MHz. Frequentie: 200MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 7pF. Markering van de fabrikant: BC639. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Maximale hFE-versterking: 160. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vermogen: 0.8/2.75W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Winst hfe: 40...250. Origineel product van fabrikant: Lge Technology. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13

Technische documentatie (PDF)
BC639
38 parameters
Behuizing
TO-92
Collectorstroom Ic [A], max.
1A
Collectorstroom
1A
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
200 MHz
BE-diode
nee
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-226AA
C(inch)
50pF
CE-diode
nee
Collector-emitterspanning Uceo [V]
80V
Collectorstroom Ic [A]
1A
Componentfamilie
NPN-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
130 MHz
Frequentie
200MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
7pF
Markering van de fabrikant
BC639
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.625W
Maximale hFE-versterking
160
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.625W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
80V
Spec info
complementaire transistor (paar) BC640
Type transistor
NPN
Vcbo
80V
Vermogen
0.8/2.75W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.5V
Winst hfe
40...250
Origineel product van fabrikant
Lge Technology