NPN-transistor BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 110pF. CE-diode: nee. FT: 70 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 9pF. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Productiedatum: 1997.04. Technologie: Planaire epitaxiale transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Origineel product van fabrikant: Cdil. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34