NPN-transistor BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0594€
50-99
0.0498€
100+
0.0424€
| Hoeveelheid in voorraad: 990 |
NPN-transistor BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: 150 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546C. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34
BC556C
23 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
FT
150 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Maximale hFE-versterking
800
Minimale hFE-versterking
420
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) BC546C
Technologie
Epitaxiale Planaire Transistor
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
80V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.3V
Origineel product van fabrikant
Diodes Inc
Minimale hoeveelheid
10