NPN-transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

NPN-transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-99
0.0509€
100-199
0.0446€
200-499
0.0394€
500+
0.0330€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 237
Minimum: 10

NPN-transistor BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. FT: 150 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Kosten): 6pF. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Technologie: Planaire epitaxiale transistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Origineel product van fabrikant: Lge Technology. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 20:34

Technische documentatie (PDF)
BC546C
25 parameters
Collectorstroom
100mA
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
65V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
FT
150 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Kosten)
6pF
Maximale hFE-versterking
800
Minimale hFE-versterking
420
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.625W
RoHS
ja
Technologie
Planaire epitaxiale transistor
Type transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.25V
Origineel product van fabrikant
Lge Technology
Minimale hoeveelheid
10

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BC546C