NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.81€
5-24
0.70€
25-49
0.60€
50-99
0.54€
100+
0.48€
+166 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 44

NPN-transistor BC303, -60V, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Collector-emitterspanning VCEO: -60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 0.65 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale frequentie: 75MHz. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.85W. Polariteit: PNP. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Temperatuur: +175°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 85V. Vebo: 7V. Vermogen: 0.85W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Origineel product van fabrikant: Cdil. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:56

Technische documentatie (PDF)
BC303
25 parameters
Collector-emitterspanning VCEO
-60V
Collectorstroom
0.5A
Behuizing
TO-39 ( TO-205 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-39
Collector-emitterspanning Vceo
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
0.65 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale frequentie
75MHz
Maximale hFE-versterking
120
Minimale hFE-versterking
40
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.85W
Polariteit
PNP
Technologie
EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Temperatuur
+175°C
Type transistor
PNP
Vcbo
85V
Vebo
7V
Vermogen
0.85W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.65V
Origineel product van fabrikant
Cdil

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BC303