NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0809€
50-99
0.0696€
100-199
0.0596€
200+
0.0465€
+3333 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 845
Minimum: 10

NPN-transistor BC212B, -50V, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collector-emitterspanning VCEO: -50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Darlington-transistor?: nee. FT: 280 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale frequentie: 280MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Polariteit: PNP. RoHS: ja. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Vermogen: 1W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Origineel product van fabrikant: Cdil. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:56

Technische documentatie (PDF)
BC212B
28 parameters
Collector-emitterspanning VCEO
-50V
Collectorstroom
100mA
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
Darlington-transistor?
nee
FT
280 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale frequentie
280MHz
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
200
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
350mW
Polariteit
PNP
RoHS
ja
Technologie
Epitaxiale Planaire Transistor
Type transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
5V
Vermogen
1W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Origineel product van fabrikant
Cdil
Minimale hoeveelheid
10

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BC212B