NPN-transistor 2SD712, 4A, 100V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. FT: 8 MHz. Functie: -. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB682. Type transistor: NPN. Origineel product van fabrikant: Mitsubishi Electric Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 18:40