NPN-transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

NPN-transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.00€
5-24
0.84€
25-49
0.73€
50-99
0.63€
100+
0.51€
Hoeveelheid in voorraad: 72

NPN-transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. FT: 140 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 2A. Let op: 9mm. Markering op de kast: D667. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 60. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB647. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Origineel product van fabrikant: Hitachi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:24

Technische documentatie (PDF)
2SD667
24 parameters
Collectorstroom
1A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-50...+150°C
FT
140 MHz
Functie
laagfrequente eindversterker
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
2A
Let op
9mm
Markering op de kast
D667
Maximale hFE-versterking
120
Minimale hFE-versterking
60
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.9W
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SB647
Technologie
Silicon NPN Epitaxial
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1V
Origineel product van fabrikant
Hitachi