NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.29€
5-9
2.84€
10-24
2.56€
25-49
2.36€
50+
2.12€
Hoeveelheid in voorraad: 3

NPN-transistor 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. FT: 180 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 12A. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 35. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1204. Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:46

Technische documentatie (PDF)
2SD1804
24 parameters
Collectorstroom
8A
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
FT
180 MHz
Functie
High-Current Switching, lage verzadigingsspanning
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
12A
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
35
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
20W
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SB1204
Technologie
Epitaxiale vlakke siliciumtransistors
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
20 ns
Tf(min)
20 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.2V
Origineel product van fabrikant
Sanyo