NPN-transistor 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

NPN-transistor 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.91€
5-24
0.72€
25-49
0.64€
50+
0.56€
Hoeveelheid in voorraad: 56

NPN-transistor 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: DG. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code DG. Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:46

Technische documentatie (PDF)
2SD1624S
26 parameters
Collectorstroom
3A
Behuizing
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-89
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
FT
150 MHz
Functie
High-Current Switching, lage verzadigingsspanning
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
6A
Markering op de kast
DG
Maximale hFE-versterking
280
Minimale hFE-versterking
140
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code DG
Technologie
Epitaxiale vlakke siliciumtransistors
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
35 ns
Tf(min)
35 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.35V
Origineel product van fabrikant
Sanyo