NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.13€
5-24
0.94€
25-49
0.82€
50-99
0.74€
100+
0.64€
Hoeveelheid in voorraad: 57

NPN-transistor 2SD1623S, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1123S. Markering op de kast: DF. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF. Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:46

Technische documentatie (PDF)
2SD1623S
29 parameters
Collectorstroom
2A
Behuizing
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-89
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
150 MHz
Functie
High-Current Switching, lage verzadigingsspanning
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
4A
Let op
complementaire transistor (paar) 2SB1123S
Markering op de kast
DF
Maximale hFE-versterking
280
Minimale hFE-versterking
140
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
zeefdruk/SMD-code DF
Technologie
Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
30 ns
Tf(min)
30 ns
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.5V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor