NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.80€
5-9
0.66€
10-24
0.58€
25-49
0.52€
50+
0.44€
Hoeveelheid in voorraad: 17

NPN-transistor 2SD1207, TO-92, 2A, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 150 MHz. Functie: -. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 4A. Kosten): 12pF. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB892. Technologie: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:53

Technische documentatie (PDF)
2SD1207
24 parameters
Behuizing
TO-92
Collectorstroom
2A
Behuizing (volgens datablad)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
150 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
4A
Kosten)
12pF
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
200
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SB892
Technologie
Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor
Type transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.15V
Origineel product van fabrikant
Sanyo