NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
11.08€
5-9
10.18€
10-24
9.67€
25-49
9.10€
50+
8.39€
Hoeveelheid in voorraad: 1

NPN-transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Collectorstroom: 23A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): 2-21F2A. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Darlington-transistor?: nee. FT: 2 MHz. Functie: Voor horizontale afbuiging met hoge resolutie, HD TV. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 46A. Maximale hFE-versterking: 55. Minimale hFE-versterking: 4.5. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 210W. RoHS: ja. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:53

Technische documentatie (PDF)
2SC5859
25 parameters
Collectorstroom
23A
Behuizing
TO-264 ( TOP-3L )
Behuizing (volgens datablad)
2-21F2A
Collector-emitterspanning Vceo
750V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Darlington-transistor?
nee
FT
2 MHz
Functie
Voor horizontale afbuiging met hoge resolutie, HD TV
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
46A
Maximale hFE-versterking
55
Minimale hFE-versterking
4.5
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
210W
RoHS
ja
Technologie
Drievoudig diffuus MESA-type
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.15us
Tf(min)
0.1us
Type transistor
NPN
Vcbo
1700V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
3V
Origineel product van fabrikant
Toshiba