NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.14€
5-9
4.67€
10-24
4.33€
25-49
4.04€
50+
3.67€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 5

NPN-transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-weerstand: ja. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: nee. FT: kHz. Functie: hoge snelheid. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 36A. Markering op de kast: C5696. Maximale hFE-versterking: 11. Minimale hFE-versterking: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. RoHS: ja. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 15:40

Technische documentatie (PDF)
2SC5696
27 parameters
Collectorstroom
12A
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PMLH
Collector-emitterspanning Vceo
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-weerstand
ja
CE-diode
ja
Darlington-transistor?
nee
FT
kHz
Functie
hoge snelheid
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
36A
Markering op de kast
C5696
Maximale hFE-versterking
11
Minimale hFE-versterking
3
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
85W
RoHS
ja
Technologie
Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Type transistor
NPN
Vcbo
1600V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
3V
Origineel product van fabrikant
Sanyo

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SC5696