NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
4.45€
5-24
4.02€
25-49
3.68€
50+
3.51€
Hoeveelheid in voorraad: 22

NPN-transistor 2SC5148, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: 2 MHz. Functie: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 16A. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 8:1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:53

Technische documentatie (PDF)
2SC5148
23 parameters
Collectorstroom
8A
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
2-16E3A
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
FT
2 MHz
Functie
Horizontal Deflection Output, high speed Switch
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
16A
Maximale hFE-versterking
25
Minimale hFE-versterking
8:1
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
Technologie
Drievoudig diffuus MESA-type
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Type transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
5V
Origineel product van fabrikant
Toshiba