NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.48€
5-24
2.15€
25-49
1.92€
50+
1.69€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 106

NPN-transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja. FT: 1.7 MHz. Functie: MONITOR HA,Hi-res. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: C5129. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: valtijd 0,15..03us (64kHz). Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:53

Technische documentatie (PDF)
2SC5129
27 parameters
Collectorstroom
10A
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
2-16E3A
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
CE-diode
ja
FT
1.7 MHz
Functie
MONITOR HA,Hi-res
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
20A
Markering op de kast
C5129
Maximale hFE-versterking
30
Minimale hFE-versterking
10
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
RoHS
ja
Spec info
valtijd 0,15..03us (64kHz)
Technologie
Drievoudig diffuus MESA-type
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Type transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
3V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SC5129