NPN-transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

NPN-transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.26€
5-29
2.87€
30-59
2.64€
60+
2.50€
Hoeveelheid in voorraad: 11

NPN-transistor 2SC3460, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 20A. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor. Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:19

Technische documentatie (PDF)
2SC3460
23 parameters
Collectorstroom
6A
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PB
Collector-emitterspanning Vceo
800V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
FT
15 MHz
Functie
Schakelregelaartoepassingen
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
20A
Maximale hFE-versterking
40
Minimale hFE-versterking
10
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
100W
RoHS
ja
Technologie
Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Temperatuur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Type transistor
NPN
Vcbo
1100V
Vebo
7V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2V
Origineel product van fabrikant
Sanyo