NPN-transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Hoeveelheid

Eenheidsprijs

1-4

1.63€

5-24

1.43€

25-49

1.29€

50+

1.16€

Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 3

NPN-transistor 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. FT: 120 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: C3303. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces). Temperatuur: +150°C. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:19

Technische documentatie (PDF)

2SC3303

24 parameters

Collectorstroom

Behuizing

TO-251 ( I-Pak )

Behuizing (volgens datablad)

TO-251AA ( I-PAK )

Collector-emitterspanning Vceo

80V

Aantal aansluitingen

Aantal per doos

120 MHz

Functie

Hoge snelheidsschakelen

Halfgeleidermateriaal

silicium

Ic(puls)

Markering op de kast

C3303

Maximale hFE-versterking

240

Minimale hFE-versterking

Montage/installatie

PCB-doorvoermontage

Pd (vermogensdissipatie, max.)

20W

Technologie

Epitaxiaal type (PCT-proces)

Temperatuur

+150°C

Tf(max)

0.1us

Tf(min)

0.1us

Type transistor

NPN

Vcbo

100V

Vebo

Verzadigingsspanning VCE(sat)

0.2V

Origineel product van fabrikant

Toshiba