NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.73€
5-49
0.64€
50-99
0.57€
100-199
0.51€
200+
0.44€
Hoeveelheid in voorraad: 88

NPN-transistor 2SC2240GR, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. CE-diode: nee. Darlington-transistor?: nee. FT: 100 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 3pF. Markering op de kast: C224GR. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970GR. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:19

Technische documentatie (PDF)
2SC2240GR
26 parameters
Collectorstroom
0.1A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
120V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+125°C
CE-diode
nee
Darlington-transistor?
nee
FT
100 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
3pF
Markering op de kast
C224GR
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
200
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.3W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SA970GR
Technologie
Epitaxiaal type (PCT-proces)
Type transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.3V
Origineel product van fabrikant
Toshiba