NPN-transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

NPN-transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.33€
5-9
1.97€
10-24
1.76€
25-49
1.61€
50+
1.46€
+3 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 53

NPN-transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Collectorstroom Ic [A]: 8A, 12A. FT: 10 MHz. Frequentie: 10MHz, 15MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: B668. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Polariteit: bipolair. Spanning (verzamelaar - emitter): 120V, 140V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD718. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Vermogen: 100W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Winst hfe: 20...200. Origineel product van fabrikant: Korea Electronics Semi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:09

Technische documentatie (PDF)
2SB688
26 parameters
Behuizing
TO-3PN ( 2-16C1B )
Collectorstroom
8A
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PN
Collector-emitterspanning Vceo
120V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Collectorstroom Ic [A]
8A, 12A
FT
10 MHz
Frequentie
10MHz, 15MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Markering op de kast
B668
Maximale hFE-versterking
160
Minimale hFE-versterking
55
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
80W
Polariteit
bipolair
Spanning (verzamelaar - emitter)
120V, 140V
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SD718
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Vermogen
100W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.5V
Winst hfe
20...200
Origineel product van fabrikant
Korea Electronics Semi.