NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.43€
5-24
1.21€
25-49
1.07€
50-99
0.99€
100+
0.87€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 172

NPN-transistor 2SB647, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. CE-diode: nee. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: B647. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD667. Temperatuur: +150°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Origineel product van fabrikant: Renesas Technology. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:09

Technische documentatie (PDF)
2SB647
25 parameters
Collectorstroom
1A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92M ( 9mm )
Collector-emitterspanning Vceo
80V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
CE-diode
nee
FT
140 MHz
Functie
algemeen gebruik
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
2A
Markering op de kast
B647
Maximale hFE-versterking
200
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.9W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SD667
Temperatuur
+150°C
Type transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1V
Origineel product van fabrikant
Renesas Technology

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SB647