NPN-transistor 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.65€
5-49
0.49€
50-99
0.45€
100+
0.44€
| +14 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar | |
| Hoeveelheid in voorraad: 8 |
NPN-transistor 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V. Behuizing: D8A/C. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: -. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering van de fabrikant: -. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W. Maximale temperatuur: -.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. RoHS: nee. Type transistor: PNP. Origineel product van fabrikant: Matsushita. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35
2SA881
17 parameters
Behuizing
D8A/C
Collector-emitterspanning Uceo [V]
40V/32V
Collectorstroom Ic [A], max.
1A
Collectorstroom
1A
Collector-emitterspanning Vceo
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Componentfamilie
PNP bipolaire transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
150 MHz
Functie
algemeen gebruik
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.6W
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.6W
RoHS
nee
Type transistor
PNP
Origineel product van fabrikant
Matsushita