NPN-transistor 2SA1360, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): 2-8H1A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. CE-diode: nee. FT: 200 MHz. Functie: NF-L. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 2.5pF. Maximale hFE-versterking: 240. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 80. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3423. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35