NPN-transistor 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F (2-8A1H). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. CE-diode: nee. FT: 120 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 30pF. Maximale hFE-versterking: 240. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Minimale hFE-versterking: 120. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3421Y. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces). Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35