NPN-transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

NPN-transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0937€
50-99
0.0805€
100-199
0.0708€
200+
0.0567€
Hoeveelheid in voorraad: 8959
Minimum: 10

NPN-transistor 2SA1015Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. CE-diode: nee. FT: 80 MHz. Functie: hFE.120-240. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 4pF. Markering op de kast: 1015 Y. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1815Y. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces). Temperatuur: +125°C. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 01:37

Technische documentatie (PDF)
2SA1015Y
28 parameters
Collectorstroom
0.15A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-...+125°C
CE-diode
nee
FT
80 MHz
Functie
hFE.120-240
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
4pF
Markering op de kast
1015 Y
Maximale hFE-versterking
240
Minimale hFE-versterking
120
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.4W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SC1815Y
Technologie
Epitaxiaal type (PCT-proces)
Temperatuur
+125°C
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Origineel product van fabrikant
Toshiba
Minimale hoeveelheid
10