NPN-transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

NPN-transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.19€
5-49
0.16€
50-99
0.14€
100-199
0.12€
200+
0.11€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 100

NPN-transistor 2SA1015GR, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92, 2-5F1B. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. CE-diode: nee. FT: 80 MHz. Functie: audio-versterker. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 4pF. Maximale hFE-versterking: 400. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Minimale hFE-versterking: 200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1162. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:35

Technische documentatie (PDF)
2SA1015GR
26 parameters
Collectorstroom
0.15A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92, 2-5F1B
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-...+125°C
CE-diode
nee
FT
80 MHz
Functie
audio-versterker
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
4pF
Maximale hFE-versterking
400
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
0.3V
Minimale hFE-versterking
200
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.4W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) 2SC1162
Technologie
Epitaxiaal type (PCT-proces)
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.1V
Origineel product van fabrikant
Toshiba