NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0712€
50-99
0.0628€
100-199
0.0558€
200+
0.0464€
+4018 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 2021
Minimum: 10

NPN-transistor 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Collectorstroom Ic [A]: 600mA. Componentfamilie: PNP-transistor. Conditionering: Ammo Pack. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 100 MHz. Frequentie: 400MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Kosten): 6pF. Markering van de fabrikant: 2N5401. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Maximale hFE-versterking: 240. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 50. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 150V. Spec info: 2N5401. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Vermogen: 0.625W. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Winst hfe: 240. Origineel product van fabrikant: Diotec Semiconductor. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 01:37

Technische documentatie (PDF)
2N5401
41 parameters
Behuizing
TO-92
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-226AA
Collector-emitterspanning Uceo [V]
160V
Collectorstroom Ic [A], max.
600mA
Collectorstroom
0.6A
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
150V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
100 MHz
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
Collectorstroom Ic [A]
600mA
Componentfamilie
PNP-transistor
Conditionering
Ammo Pack
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
100 MHz
Frequentie
400MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Kosten)
6pF
Markering van de fabrikant
2N5401
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.625W
Maximale hFE-versterking
240
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
50
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.625W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
150V
Spec info
2N5401
Type transistor
PNP
Vcbo
160V
Vebo
5V
Vermogen
0.625W
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.2V
Winst hfe
240
Origineel product van fabrikant
Diotec Semiconductor
Minimale hoeveelheid
10

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2N5401