NPN-transistor 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V

NPN-transistor 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.78€
5-24
6.00€
25-49
5.34€
50+
4.67€
Hoeveelheid in voorraad: 20

NPN-transistor 2N5109, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Collectorstroom: 0.4A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. CE-diode: nee. FT: 1.2GHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 210. Minimale hFE-versterking: 70. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 3V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Origineel product van fabrikant: Sgs. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:27

Technische documentatie (PDF)
2N5109
21 parameters
Collectorstroom
0.4A
Behuizing
TO-39 ( TO-205 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-39
Collector-emitterspanning Vceo
20V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-65...+200°C
CE-diode
nee
FT
1.2GHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Maximale hFE-versterking
210
Minimale hFE-versterking
70
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1W
Technologie
Epitaxiale Planaire Transistor
Type transistor
NPN
Vcbo
40V
Vebo
3V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.5V
Origineel product van fabrikant
Sgs