NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0434€
50-99
0.0378€
100-199
0.0335€
200+
0.0282€
+892 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 3161
Minimum: 10

NPN-transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. Collectorstroom Ic [A]: 0.2A. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. FT: 250 MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 200mA. Markering van de fabrikant: 2N3906. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Maximale hFE-versterking: 300. Maximale temperatuur: +150°C.. Minimale hFE-versterking: 100. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Polariteit: bipolair. RoHS: ja. Spanning (verzamelaar - emitter): 40V. Technologie: Si-epitaxiale planairetransistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Vermogen: 0.625W. Verpakking: Ammo Pack. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 01:37

Technische documentatie (PDF)
2N3906
38 parameters
Behuizing
TO-92
Collector-emitterspanning Uceo [V]
40V
Collectorstroom Ic [A], max.
200mA
Collectorstroom
100mA
Behuizing (volgens datablad)
TO-92Ammo-Pack
Collector-emitterspanning Vceo
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Afsnijfrequentie ft [MHz]
250 MHz
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
Collectorstroom Ic [A]
0.2A
Componentfamilie
PNP-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
FT
250 MHz
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
200mA
Markering van de fabrikant
2N3906
Maximale dissipatie Ptot [W]
0.625W
Maximale hFE-versterking
300
Maximale temperatuur
+150°C.
Minimale hFE-versterking
100
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.625W
Polariteit
bipolair
RoHS
ja
Spanning (verzamelaar - emitter)
40V
Technologie
Si-epitaxiale planairetransistor
Type transistor
PNP
Vcbo
40V
Vebo
5V
Vermogen
0.625W
Verpakking
Ammo Pack
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.25V
Origineel product van fabrikant
Diodes Inc
Minimale hoeveelheid
10