N-kanaaltransistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V

N-kanaaltransistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.97€
5-24
0.83€
25-49
0.73€
50-99
0.64€
100+
0.52€
Hoeveelheid in voorraad: 155

N-kanaaltransistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 70V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 298pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0uA. Id(imp): 10A. Kanaaltype: N. Kosten): 35pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 1.9 ns. Td(uit): 11.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET. Trr-diode (min.): -. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Diodes Inc. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:51

Technische documentatie (PDF)
ZXMN7A11GTA
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3A
ID (T=25°C)
3.8A
Idss (max)
1uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.13 Ohms
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
70V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
298pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0uA
Id(imp)
10A
Kanaaltype
N
Kosten)
35pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
2W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
1.9 ns
Td(uit)
11.5 ns
Technologie
Verbeteringsmodus MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Diodes Inc.